서문
역자서문
제1장 전력반도체의 일반적인 내용을 살펴본다.
1-1 도대체 전력반도체란 무엇인가 ?
1-2 전력반도체를 인체에 비유하면?
1-3 최근 전력반도체의 사용례
1-4 전자정보산업에서 전력반도체의 위치
1-5 반도체소자 중의 전력반도체
1-6 트랜지스터 구조의 차이

제2장 전력반도체의 기본과 동작
2-1 반도체의 기본과 동작
2-2 pn 접합에 대하여
2-3 트랜지스터의 기본과 동작
2-4 바이폴라형의 기본과 동작
2-5 MOS형의 기본과 동작
2-6 전력반도체의 역사를 알아본다 .
2-7 전력 MOSFET 의 등장
2-8 바이폴라와 MOS의 결합체인 IGBT 의 등장
2-9 신호 변환과의 비교

제3장 각종 전력반도체의 동작과 역할
3-1 일방통행인 다이오드
3-2 대전류 바이폴라 트랜지스터
3-3 쌍안정 사이리스터
3-4 고속동작 전력 MOSFET
3-5 친환경시대의 IGBT
3-6 전력반도체의 문제점

제4장 전력반도체의 용도와 시장
4-1 전력반도체의 시장 규모
4-2 전력인프라와 전력반도체
4-3 교통 인프라와 전력반도체
4-4 자동차와 전력반도체
4-5 정보통신과 전력반도체
4-6 가전과 전력반도체

제5장 전력반도체의 분류
5-1 용도로 분류한 전력반도체
5-2 재료로 분류한 전력반도체
5-3 구조 및 원리로 분류한 전력반도체
5-4 용량으로 본 전력반도체

제6장 전력반도체용 실리콘 웨이퍼
6-1 실리콘 웨이퍼란
6-2 실리콘 웨이퍼의 제작법 차이
6-3 FZ 결정의 특징
6-4 왜 FZ 결정이 필요한가 ?
6-5 실리콘의 한계란 ?

제7장 전력반도체 공정의 특징
7-1 전력반도체와 MOS LSI의 차이점
7-2 구조에 대한 연구
7-3 에피택셜 성장을 많이 사용
7-4 전후면 노광공정
7-5 후면 활성화에 대한 고찰
7-6 웨이퍼의 박화공정이란 ?
7-7 후공정과 전공정의 차이점
7-8 다이싱에서의 차이점
7-9 다이본딩의 특징
7-10 굵어지는 본딩용 와이어
7-11 밀봉재의 변화

제8장 전력반도체 회사소개
8-1 탈로드맵 시대의 도래
8-2 기세등등한 일본의 전력반도체
8-3 수직 통합 모델이 남아있는 종합 전기 제조업체
8-4 전문업체가 생존 ?
8-5 유럽 제조업체는 수직 통합형?
8-6 미국 메이커의 동향

제9장 실리콘 전력반도체의 발전
9-1 전력반도체 세대란 ?
9-2 IGBT에 요구되는 성능
9-3 펀치스루(punchthrough)와 비펀치스루(non punchthrough)
9-4 필드스탑(field stop)형의 등장
9-5 IGBT 형의 발전
9-6 IPM 화가 진행되는 전력반도체
9-7 냉각과 전력반도체

제10장 실리콘의 한계에 도전하는 SiC와 GaN
10-1 8인치 직경도 생산되는 SiC 웨이퍼
10-2 SiC 웨이퍼의 제조방법
10-3 SiC의 장점과 문제점은?
10-4 실용화가 진행되는 SiC 인버터
10-5 GaN 웨이퍼의 난해함 - 이종접합 에피텍셜이란 ?
10-6 GaN의 장점과 문제점
10-7 GaN으로 차단상태(normally off)에 도전!
10-8 웨이퍼 메이커의 동향

제11장 전력반도체가 개척하는 탈탄소 시대
11-1 탈탄소 시대와 전력반도체
11-2 신재생에너지에서 빼놓을 수 없는 전력반도체
11-3 스마트 그리드와 전력반도체
11-4 전기자동차 (EV)와 전력용 소자
11-5 21세기형 교통인프라와 전력반도체
11-6 기대되는 횡단적 기술로서의 전력반도체

참고문헌
INDEX